Stanislas
TESZNER Le
transistor à effet de champ à jonction
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Stanislas
Tesner était ingénieur à CFTH ( Compagnie
Française Thomson Houston) et ingénieur conseil au
CNET (Centre National d'Etudes de Télécommunications)
mais impossible de trouver la moindre information sur l'homme Il a fait plusieurs communications à l'Académie des Sciences et déposé plusieurs Brevets et notamment celui qui fut le premier transistor à effet de champ à jonction en 1958 qui fut appelé le Tecnétron Composé d'un barreau de germanium N de 2mm de long et d'un diamètre de 0,5mm, une gorge de ramenant le diamètre à 30 μm était tapissé d'Indium. L'indium (N°49) est de valence 3 . L'indium se comportait alors comme une couche P. de part et d'autre du barreau des connexions constituaient la Source et le Drain, la couche d'indium la grille.Les
performances étaient excellente Résistance à l'état passant ( Ron) 80 μΏ,
Tension de claquage 35V, courant de fuite 4 μA fréquence jusqu'à 500MHz
1/ pour Vds << à Vp le transistor
se comporte comme une résistance , il n'y a aucune tension de seuil ce qui est
particulièrement précieux pour commuter un
signal qui entre dans un convertisseur Analogique Numérique, il suffit
de tenir compte de sa résistance de canal qui est souvent très faible (souvent
inférieure à 100 Ω ) devant la résistance d'entrée du convertisseur .
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